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电网电项这些红移峰的偏振和寿命测量表明它们起源于暗激子。年度WSe2单层的封装和悬浮也可以改善空间均匀的光学性能。

作者使用纳米雕刻的锥形光纤的尖端实现WSe2单层的局部形变，夏保并光学探测该区域。研究进展近日，供首个新哈佛大学的HongkunPark和MarkoLončar（共同通讯）等人开发了一种技术，用于探测这种单层膜中纳米尺度应变中的自由激子动力学。千伏电荷控制与器件应变兼容。

输变利用光纤的基模在光纤的侧面激发和收集发射来实现光学表征。引言WSe2单层是直接带隙半导体，目投其光学特性受束缚电子-空穴对(即激子)的存在所支配。

值得注意的是，河南利用应变，作者实现了高达390meV的暗激子PL峰红移，这相当于未应变的WSe2单层带隙的20%。

作者在两层六方氮化硼(hBN)之间封装了单层WSe2，电网电项以增加抗撕裂能力。其中一只狸花色的小奶猫，年度居然对着我哈气。

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